文章浏览阅读2.7k次，点赞4次，收藏44次。通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器......
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文章浏览阅读8.4k次，点赞7次，收藏66次。一、ESD静电二极管工作原理ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特......
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文章浏览阅读1.1w次，点赞7次，收藏110次。根据ESD防护器件的TLP I-V特性我们可将ESD器件分为回滞类和非回滞类两种；回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控桂(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。非......
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文章浏览阅读1.7w次，点赞11次，收藏167次。摘自网络1、并联放电器件。常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。如图1.1、齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） 。 利用齐纳二极管的反向击穿特性可......
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资源浏览查阅117次。ESD器件在保护电路中的应用esd应用电路更多下载资源、学习资料请访问CSDN文库频道....
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文章浏览阅读1.6k次，点赞2次，收藏21次。源自硬件家园教程_emc esd...
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文章浏览阅读8.8k次，点赞17次，收藏149次。静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。 因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这......
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文章浏览阅读2.7k次。来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔......
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文章浏览阅读5.5k次。前一段时间一个朋友说他们有一个项目,里边有一个关于静电保护ESD的工艺电路.看不明白.我当时其实也是看不明白.但是后来是越看越明白了.现在和大家分享一下。也算是为高科技做了一点贡献。右边的稳压......
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文章浏览阅读1w次，点赞3次，收藏90次。第八章 USB接口的ESD处理（外壳地和信号地的处理）原文链接：https://blog.csdn.net/aqwtyyh/article/details/94594905USB外壳和信号地之间通常的做法是串联一个100K-1M电阻，并且并联一个0.01uF电容再接......
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