资源浏览查阅117次。ESD器件在保护电路中的应用esd应用电路更多下载资源、学习资料请访问CSDN文库频道....
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文章浏览阅读1.1w次，点赞7次，收藏110次。根据ESD防护器件的TLP I-V特性我们可将ESD器件分为回滞类和非回滞类两种；回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控桂(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。非......
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文章浏览阅读5.5k次。前一段时间一个朋友说他们有一个项目,里边有一个关于静电保护ESD的工艺电路.看不明白.我当时其实也是看不明白.但是后来是越看越明白了.现在和大家分享一下。也算是为高科技做了一点贡献。右边的稳压......
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文章浏览阅读1.7w次，点赞11次，收藏167次。摘自网络1、并联放电器件。常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。如图1.1、齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） 。 利用齐纳二极管的反向击穿特性可......
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文章浏览阅读8.8k次，点赞17次，收藏149次。静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。 因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这......
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文章浏览阅读744次。静电放电（ESD）理论研究的已经相当成熟，为了模拟分析静电事件，前人设计了很多静电放电模型。常见的静电模型有：人体模型（HBM），带电器件模型，场感应模型，场增强模型，机器模型和电容耦合模型......
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文章浏览阅读2.7k次。来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔......
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转自：https://blog.csdn.net/weixin_37513940/article/details/811986321、并联放电器件。常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。如图1.1、齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） 。 利用齐纳二极管的反向击穿特性......
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文章浏览阅读9.8k次，点赞3次，收藏54次。转自：https://blog.csdn.net/weixin_37513940/article/details/811986321、并联放电器件。常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。如图1.1、齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极......
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文章浏览阅读6.5k次，点赞12次，收藏119次。电子产品接地问题是一个老生常谈的话题，本文单讲其中一小部分，主要内容是金属外壳与电路板的接地问题。我们经常会看到一些系统设计中将PCB板的地(GND)与金属外壳(EGND)之间通常......
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